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一.ARM：
1.时钟晶振：
在单片机系统里晶振的作用非常大，他结合单片机内部的电路，产生单片机所必须的时钟频率，单片机的一切指令的执行都是建立在这个基础上的，晶振的提供的时钟频率越高，那单片机的运行速度也就越快。
2.系统复位：
这个复位会使整个芯片的所有电路都进行复位。
3.处理器内存：
1. 负责硬盘等硬件上的数据与CPU之间数据交换处理；
2. 缓存系统中的临时数据。
3. 断电后数据丢失。
4.flash：闪存
它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM的优势），U盘和MP3里用的就是这种存储器。
线性访问： 有专门的地址总线和数据总线(可以像内存一样访问) norflash : 或非门 可线性访问 是一种随机访问设备，具有专用的地址和数据线（和SRAM类似），以字节的方式进行读写，允许对存储器当中的任何位置进行访问。 nandflash : 与非门 不可线性访问，没有专用的地址线，不能直接寻址，是通过一个间接的、类似I/O的接口来发送命令和地址来进行控制的，这就意味着NAND闪存只能够以页的方式进行访问。NOR 主要应用于代码存储介质中，而 NAND 则用于数据存储。 5.RAM: random access memory 随机存储 --- 快 掉电数据丢失1、SRAM 静态RAM(StaticRAM/SRAM）
不需要刷新电路，掉电丢失数据，而且一般不是行列地址复用的。
集成度比较低，不适合做容量大的内存，一般是用在处理器的缓存里面。像S3C2440的ARM9处理器里面就有4K的SRAM用来做CPU启动时用的；
SRAM内部采用的是双稳态电路的形式来存储数据；
制造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的多；
因此目前SRAM基本上只用于CPU内部的一级缓存以及内置的二级缓存。仅有少量的网络服务器以及路由器上能够使用SRAM。
2、DRAM 动态RAM(Dynamic RAM/DRAM）
掉电丢失数据。每隔一段时间就要刷新一次数据，才能保存数据。而且是行列地址复用的，许多都有页模式。DRAM利用MOS管的栅电容上的电荷来存储信息，一旦掉电信息会全部的丢失，由于栅极会漏电，所以每隔一定的时间就需要一个刷新机构给这些栅电容补充电荷，并且每读出一次数据之后也需要补充电荷，这个就叫动态刷新，所以称其为动态随机存储器。由于它只使用一个MOS管来存信息，所以集成度可以很高，容量能够做的很大。SDRAM比它多了一个与CPU时钟同步。
DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快；
从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的；
DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。
一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。但时间一长，代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，这就是数据丢失的原因；刷新操作定期对电容进行检查，若电量大于满电量的1／2，则认为其代表1，并把电容充满电；若电量小于1／2，则认为其代表0，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。
3、DDR RAM(Data-Rate RAM）也称作DDR SDRAM DDR(n)
这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。
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