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2024年12月29日发(作者：mysql高级查询语句总结)
半导体：semiconductior
元素半导体：elemental semiconductor
化合物半导体：compound semiconductor
导电类型：conductivity type
N-型半导体：n-type semiconductor
P-型半导体：p-type semiconductor
空穴：hole
受主：accepter
施主：donor
载流子：carrier
载流子浓度：carrier concentration
多数载流子：majority carrier
少数载流子：minority carrier
杂质浓度：impurity concentration
深能级杂质：deep- level impurity
复合中心：recombination center
补偿：compensation
耗尽层：depletion layer
红外吸收光谱：infrared absorption spectrum
红外吸收系数：infrared absorption coefficient
电阻率(体)：resistivity(bulk)
电导率：conductivity
电阻率允许偏差：allowable resistivity tolerance
径向电阻率变化：radial resistivity vsriation
薄层电阻：sheet resistance
扩展电阻：spreading resistance
二探针：two point probe
四探针：four point probe
迁移率：mobility
霍尔效应：hall effect
霍尔系数：hall coefficient
霍尔迁移率: hall mobility
寿命：lifetime
各向异性：anisotropic
结晶学表示法：crytallographic notation
密勒指数：miller indices
劳埃法：laue method
晶向：crystallographic direction
晶面：crystallographic plane
取向偏离：off-orientation
正向晶向偏离：orthogonal misorientation
主参考面：primary flat
副参考：secondary flat
解理面：cleavage plan
外延面：epitaxial layer
扩散：diffused layer
埋层：buried layer
薄层边界：layer boundary
界面：interface
p-n 结：p-n junction
双极型器件：bipolar devices
集成电路：integrated circuit
晶体：crystal
晶锭：ingot
多晶半导体：polycrystalline semiconductor
孪晶：twinned crystal
单晶：single crysal
无位错单晶：zero D sigle crystal
衬底：substrate
化学气相沉积：chemical vapor deposition(CVD)
外延：epitaxy
气相外延：vapor phase epitaxy(VPE)
液相外延：liquid phase epitaxy(LPE)
分子束外延：molecular beam epitaxy(MBE)
同质外延：homoepitaxy
异质外延：heteroepitaxy
溅射法：sputtering method
掺杂：doping
重掺杂：heavy doping
离子注入：ion implanation
自掺杂：autodoping
补偿掺杂：compensation doping
中子嬗变掺杂：neutron transmutation doping(NTD)
掺杂剂：dopant
直拉法：vertical pulling method(Czochralski growth)(CZ)
悬浮区熔法：floating zone method(FZ)
水平法：horizontal crysal growth method
磁场拉晶法：magnetic field Czochralski growth(MCZ)
吸除：gettering
切割：cutting
研磨：lapping
腐蚀：etching
各向同性腐蚀：isotropic etching
各向异性腐蚀：anisotropic etching
择优腐蚀：preferentical etching
化学机械抛光：Chem-Mech polishing
抛光面：polished surface
正面：front side
背面：back side
晶片：slice
掺杂片：doping wafer
直径：diameter
厚度：thickness
晶片厚度：thickness of slices
厚度允许偏差：allowable thickness tolerance
总厚度变化：total thickness varistion(TTV)
中心面：median surface
弯曲度：bow
翘曲度：warp
平整度：flatness
固定优质区：fixed quality area(FQA)
线性厚度变化：linear thickness variation(LTV)
非线性厚度变化：nonlinear thickness variation(NTV)
边缘凸起：edge crown
倒角：edge rounding
崩边：chip
缺口：indent
刀痕：saw marks
退刀痕：saw exit marks
划道：scratch
重划道：macroscratch
轻划道：microscratch
沟槽：groove
波纹：waves
凹坑：dimple
探针损伤：probe damage
残留机械损伤：residual mechanical damage
亮点：bright point
嵌入磨料颗粒：imbedded abrasive grain
裂纹: crack
裂痕：fracture
晶体缺陷：crystal defect
块状结构：block structure
点缺陷：point defect
位错：dislocation
位错腐蚀坑：dislocation density
堆垛层错：stacking fault
层错：fault
氧化层错：oxidation induced stacking fault(OSF)
滑移：sllip
滑移线：slip line
晶粒晶界: grain boundary
小角晶界：low-angle grain boundary
位错排：dislocation array
系属结构:lineage
星形结构：star structure
夹杂：inclusion
微缺陷：microdefect
沉淀物：precipitates
杂质富集:impurity concentrating
管道：piping
六角网络：turret network
杂质条纹：striation
漩涡：swirl
电阻率条纹：resistivity striation
温度圈：temperature circle
氧化层夹：oxide lamella
雾：haze
桔皮：oringe peel
小丘：mound
棱锥:pyramid
订：spike
沾污：contaminant
污物：dirt
痕迹：mark
污迹：smudge
夹痕：chuck mark
微粒：particulate
溶剂残留物：solvent residue
蜡残留物：wax residue
斑点：spot
色斑：stain
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