admin 管理员组

文章数量: 1086019


2024年12月29日发(作者：java查看类型的方法)

简述双极型集成电路的工艺流程

英文回答：

Bipolar Integrated Circuit Fabrication Process.

The fabrication process of bipolar integrated circuits

involves several key steps, including:

1. Substrate Preparation: The process begins with

preparing the silicon substrate by cleaning and oxidizing

it to form a thin layer of silicon dioxide (SiO2).

2. Epitaxial Layer Formation: An epitaxial layer of

silicon is deposited on the substrate to create a region

with controlled electrical properties suitable for

transistors.

3. Isolation Diffusion: Boron or phosphorus ions are

diffused into the substrate to create isolation regions,

separating different components of the circuit.

4. Base Diffusion: Boron or phosphorus ions are

diffused into selected regions to form the transistor base

regions.

5. Emitter Diffusion: Phosphorus or arsenic ions are

diffused into the base regions to form the transistor

emitter regions.

6. Contact Formation: Metal contacts are deposited and

patterned to connect the different components of the

circuit.

7. Passivation: A layer of silicon nitride or polyimide

is deposited to protect the circuit from external

contaminants.

8. Packaging: The circuit is encapsulated in a

protective package to provide mechanical and environmental

protection.

中文回答：

双极型集成电路的工艺流程。

双极型集成电路的制作工艺流程包含以下几个主要步骤：

1. 衬底制备，工艺开始于通过清洁和氧化硅衬底，形成一层薄

的二氧化硅 (SiO2) 层来制备衬底。

2. 外延层形成，在衬底上沉积硅的外延层，以创建具有适合晶

体管的受控电气特性的区域。

3. 隔离扩散，将硼或磷离子扩散到衬底中以创建隔离区域，将

电路的不同组件分开。

4. 基极扩散，将硼或磷离子扩散到选定的区域中，以形成晶体

管基极区域。

5. 发射极扩散，将磷或砷离子扩散到基极区域中，以形成晶体

管发射极区域。

6. 接触形成，沉积和图案化金属触点以连接电路的不同组件。

7. 钝化，沉积一层氮化硅或聚酰亚胺以保护电路免受外部污染

物的影响。

8. 封装，电路封装在保护性封装中以提供机械和环境保护。


本文标签： 区域 电路 衬底 形成 封装

版权声明：本文标题：简述双极型集成电路的工艺流程 内容由网友自发贡献，该文观点仅代表作者本人， 转载请联系作者并注明出处：http://www.roclinux.cn/p/1735507652a1673743.html， 本站仅提供信息存储空间服务，不拥有所有权，不承担相关法律责任。如发现本站有涉嫌抄袭侵权/违法违规的内容，一经查实，本站将立刻删除。