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2024年12月29日发(作者：iso模型)
JournaloftheEuropeanCeramicSociety27(2007)2941–2944
Multilayerthick-filmtechnologyasappliedto
designofmicrowavedevices
nova
a,∗
,
b,1
,nyak
a
,
a
a
burgElectrotechnicalUniversity,DepartmentofMicroelectronics&RadioEngineering,5,t.,197376,burg,Russia
b
InnovationCenterRFNXPSemiconductors,Gerstweg2,6534AENijmegen,TheNetherlands
Availableonline8January2007
Abstract
Possibilitiesofthesandwichmultaldesignsofvariouspassive
micmentalresultsconfirmedagoodpotentialofthesandwich
technologytodesignhigh-performancemultilayermicrowaveintegratedcircuits.
©htsreserved.
Keywords:Microwaveintegratedcircuits(MICs)
uction
Thelowtemperatureco-firedceramics(LTCC)technology
isgenerallyusedtofabricatemultilayermicrowaveintegrated
circuits(MICs).
1–4
Allocationofpassivecomponentswithin
severallayersmakesitpossibletodesignhighlyintegratedMICs
-costLTCCtechnologyusingthescreen-
printingtechniquesuitswellforamassproductionofmicrowave
deviceswithimprovedprice/performance.
Thethick-filmsandwichtechnologywasshowntobeanalter-
nativetotheLTCConeregardingadesignofmicrowavedevices
asmultilayerMICs.
5
Microwavedevicesusingtransmissionlinesectionsareofa
largesizeatlowmicrowavefrequenciesandexhibitaspurious
ametime,thebothmultilayertechnologies
allowdesigningverycompactandfreeofspuriousresponse
microwavedevicesbasedonquasi-lumpedcomponents.
Thegoalofthispaperistodemonstrateagoodpoten-
tialofthesandwichtechnologyforthedesignofmultilayer
urequasi-lumped-elementbandpassfilter,3and
10-dBdirectionalcouplers,andabalunforwirelessapplications
weredesignedasmultilayersandwichstructures,fabricatedand
experimentallyinvestigated.
∗
dwichmultilayertechnology
Thoughthesandwichmultilayertechnologyisquitesim-
ilartotheLTCCone,therearesomeprincipaldifferences
Ctechnologyusesthescreen-printing
techniqueformetallizationpatterningoverthindielectricsheets
(∼100m).Patternedsheetsarestackedup,laminatedandfired
underthetemperatureofabout850
◦
saythatmet-
allizationpatterningintheLTCCtechnologyisfabricated“in
parallel”.Inturn,athickceramicsubstrateisusedasthecore
tive
anddielectricpastesare,respectively,appliedformetallization
patterningandfabricationofadditionalthindielectriclayerson
allayer
thicknessis15mfortheconductivelayersand60mforthe
ersaredeposited“inseries”mannerwith
aconsecutiveco-fi-firingtemperature
isapproximatelythesameasfortheLTCCstructures—upto
900
◦
C.
Thesandwichmultilayertechnologyhavethefollowing
advantagesforMICsrealizationwithrespecttotheLTCC
process:(i)smallerthicknessofdielectriclayerswithrespect
toLTCCmaterialsallowsdecreasingtheareaoccupiedby
parallel-platecapacitors;(ii)parasiticgroundedcapacitances
aresufficientlyeliminatedduetousingofthethicksub-
strate.
Thesandwichprocessiscompatiblewithplanarthin-film
amicsubstrateemployedinthesandwich
.:+78123460867;fax:+78123460867.
E-mailaddresses:MWLab@(nova),
@().
1
Tel:+31243535303;fax:+31243536556.
0955-2219/$–seefrontmatter©htsreserved.
doi:10.1016/ramsoc.2006.11.019
novaetal./JournaloftheEuropeanCeramicSociety27(2007)2941–2944
lentcircuit(a),multilayerimplementation(b)andcharacteristics
(c)ofthethree-polebandpassfilter.
structurescouldplaytheroleofPCB,ontowhichafront-end
modulewouldassembled.
emicrowavedevicesrealizedassandwich
multilayerstructures
Thethree-poleChebyshevbandpassfilterforBluetoothand
WLANapplications(2400–2500MHz)wasdesignedasasand-
equivalentcircuitofthefifilterstruc-
ture(Fig.1b)usestwo60-mthickdielectriclayerswiththe
dielectricconstantε
r
=10.2andthelosstangenttanδ=0.002,
whicharesituatedunderneaththe1-mmthickaluminasubstrate.
Groundedcapacitanceswererealizedasparallel-platecapaci-
couplingcapacitanceswereproducedbyoverlaying
ors
weredesignedastransmissionlinesectionsofcorresponding
rostripfeedlinesplacedonthetopsurfaceof
thesubstrateareconnectedtothefi-
verpastewithR
dc
=0.02
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