埋层

一种在半导体器件中形成n型埋层的方法

年月日发(作者：进制的进制是多少)()中华人民共和国国家知识产权局()发明专利说明书()申请号.()申请日..()申请人中国东方电气集团有限公司地址四川省成都市金牛区蜀汉路号()发明人王思亮胡强张世勇()专利代理机构成都天嘉专利事务所(普通

半导体 结构埋层形成衬底

admin 2024-12-28

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