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2024年12月27日发(作者：location based service)
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1 acceptor 受主
2 allowed energy band允带
3 binary semiconductor 二元半导体
4 charge neutrality condition 电中性条件
5 compensated semiconductor 补偿半导体
6 conduction band and valence band 导带和价带
7 effective mass 有效质量
8 density of states function状态密度函数
9 diamond structure金刚石结构
10 diffusion coefficient扩散系数
11 donor施主
12 drift velocity 漂移速度
13 electron and hole电子和空穴
14 elemental semiconductor 元素半导体
15 equilibrium carrier concentration热平衡载流子浓度
16 expitaxy外延
17 extrinsic semiconductor非本征半导体
18 Fermi energy (or level)费米能级
19 Forbidden energy band禁带
20 indirect bandbap semiconductor非直接带隙半导体
21 intrinsic semiconductor本征半导体
22 majority carrier多数载流子
23 MBE分子束外延
24 Miller indices密勒指数
25 minority carrier少数载流子
26 mobility迁移率
27 MOCVD金属有机气相沉积
28 nondegenerate semiconductor非简并半导体
29 n-type material n型材料
30 Pauli exclusion principle 泡利不相容原理
31 phonon声子
32 photon光子
33 primitive cell原胞
34 quantum state量子态
35 quaternary semiconductor四元半导体
36 scattering散射
37 substrate衬底
38 thermal motion热运动
39 unit cell单胞
40 wave-particle duality波粒二相性
41 continuity equations连续性方程
42 diffusion length扩散长度
43 diffusion coefficient扩散系数
44 Einstein relationship爱因斯坦关系
45 p-n junction p-n结
46 built-in voltage 内建电势差
47 carrier lifetime 载流子寿命
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48 space charge region 空间电荷区
49 depletion width 耗尽宽度
50 saturation drift velocity 饱和迁移速度
51.
Insulating gate bipolar transistor (IGBT) 绝缘栅晶体管
52.
FET 场效应晶体管
53.
metal oxide semiconductor (MOS) 金属氧化物半导体
54.
MOSFET MOS场效应晶体管
55.
Heterostructure FET (HFET) 异质结晶体管
56.
High electron mobility transistor (HEMT) 高电子迁移率晶
体管
57.
Integrated Circuits (IC) 集成电路
58.
Light Emitting Diode (LED) 发光二极管
59.
Photo Diode (PD) 光电二极管
60.
Lattice constant 晶格常数
61.
wurzite 纤锌矿
62.
zinc Blende 闪锌矿
63.
Schottky Barrier Diode (SBD) 肖特基二极管
64.
Ohmic contact 欧姆接触
65.
heterojunction 异质结
66.
two dimensional electron gas (2DEG) 二维电子气
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